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　　反應燒結碳化硅的磨削借助于多種表征手段和測試方法，對磨削后反應燒結碳化硅陶瓷的表面/亞表面形貌進行研究，分析磨削工藝參數(shù)對材料表面粗糙度、材料硬度以及表面/亞表面結構的影響。
　　通過調整工作臺轉速、磨削深度和光磨時間等參數(shù)，研究參數(shù)對磨削后SiC表面粗糙度Ra、磨削效率、表面形貌和亞表面微觀結構的影響。
　　采用金剛石砂輪對(RBSiC)進行磨削,系統(tǒng)研究了表面形貌、殘余應力和彎曲強度等磨削特征。結果顯示，材料主要以脆性斷裂去除,局部區(qū)域為塑性切除。隨著軸向進給增大,表面粗糙度(Ra)增加,為降低Ra可進行適當光刀。隨著軸向進給增加,磨削區(qū)的冷卻效果被削弱,使磨削殘余壓應力值下降。
　　反應燒結碳化硅與0。9μm/s相比，用1。35μm/s磨削后試樣的表面損傷程度增加。工作臺轉速2。1r/min、軸向進給0。9μm/s并光刀1min是保證高加工效率并獲得較好質量表面的參數(shù)。
　　總結：研究發(fā)現(xiàn)，碳化硅陶瓷去除機理是以脆性去除方式為主，其具體形式包括晶粒去除、材料剝落、脆性斷裂等。